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Si4420DY
4000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 12.5A
V DS = 24V
V DS = 15V
3000
Ciss
12
2000
8
Coss
1000
4
0
1
Crss
10
100
0
0
20
40
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
60       80       100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
100
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
10
10
1ms
1
0.0
1.0
2.0
3.0
V GS = 0 V
4.0
5.0
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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